发明名称 | 非易失性存储器装置及对此装置编程的方法 | ||
摘要 | 非易失性存储装置具有用于提供编程电流的电荷泵和非易失性存储器单元的阵列。阵列的每一存储器单元由来自电荷泵的编程电流进行编程。非易失性存储器单元的阵列被划分成多个单位,每一单位包括多个存储器单元。指示器存储器单元与每一单位的非易失性存储器单元关联。当每一单位的50%或更少的存储器单元将被编程时,编程电路使用编程电流对每一单位的存储器单元进行编程,并且当每一单位的多于50%的存储器单元将被编程时,编程电路使用编程电流对每一单位的存储器单元的逆以及与每一单位关联的指示器存储器单元进行编程。 | ||
申请公布号 | CN104081462A | 申请公布日期 | 2014.10.01 |
申请号 | CN201280068501.2 | 申请日期 | 2012.11.13 |
申请人 | 硅存储技术公司 | 发明人 | H.V.特兰;H.Q.阮;A.利;T.吴 |
分类号 | G11C11/00(2006.01)I | 主分类号 | G11C11/00(2006.01)I |
代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 俞华梁;姜甜 |
主权项 | 一种非易失性存储器装置,包括:电荷泵,用于提供编程电流;非易失性存储器单元的阵列,其中每一存储器单元以所述编程电流编程;所述非易失性存储器单元的阵列被划分为多个单位,其中每一单位包括多个存储器单元;指示器存储器单元,其与每一单位的非易失性存储器单元关联;以及编程电路,用于当每一单位的某一比例或更少的所述存储器单元将被编程时,使用所述编程电流对每一单位的所述存储器单元进行编程,并且用于当多于每一单位的所述某一比例的存储器单元将被编程时,使用所述编程电流对每一单位的所述存储器单元的逆以及与每一单位关联的所述指示器存储器单元进行编程。 | ||
地址 | 美国加利福尼亚州 |