发明名称 一种双绒面晶体硅太阳电池的制造方法
摘要 本发明公开了一种双绒面晶体硅太阳电池的制造方法,它涉及晶体硅太阳电池制造领域。本发明通过对晶体硅太阳电池普遍工艺流程的改进,在晶体硅太阳电池普遍工艺流程的基础上增加一道背表面镀膜工艺,在晶体硅太阳电池前、后表面制作双绒面陷光结构,增强了晶体硅太阳电池的陷光效应,提高太阳电池的光电转换效率。
申请公布号 CN104078530A 申请公布日期 2014.10.01
申请号 CN201410178484.9 申请日期 2014.04.30
申请人 江西科技学院 发明人 王国宁;周青;郭芳芳
分类号 H01L31/18(2006.01)I;H01L31/0236(2006.01)I;H01L31/068(2012.01)I 主分类号 H01L31/18(2006.01)I
代理机构 代理人
主权项 一种双绒面晶体硅太阳电池的制造方法,其特征在于,其制造工艺流程为:1、制绒及扩散前清洗;2、扩散制结;3、背表面镀膜;4、刻蚀去边结及去PSG(磷硅玻璃),5、PECVD镀膜;6、丝网印刷金属化电极及烧结。
地址 330098 江西省南昌市青山湖区瑶湖高校园区