发明名称 |
一种双绒面晶体硅太阳电池的制造方法 |
摘要 |
本发明公开了一种双绒面晶体硅太阳电池的制造方法,它涉及晶体硅太阳电池制造领域。本发明通过对晶体硅太阳电池普遍工艺流程的改进,在晶体硅太阳电池普遍工艺流程的基础上增加一道背表面镀膜工艺,在晶体硅太阳电池前、后表面制作双绒面陷光结构,增强了晶体硅太阳电池的陷光效应,提高太阳电池的光电转换效率。 |
申请公布号 |
CN104078530A |
申请公布日期 |
2014.10.01 |
申请号 |
CN201410178484.9 |
申请日期 |
2014.04.30 |
申请人 |
江西科技学院 |
发明人 |
王国宁;周青;郭芳芳 |
分类号 |
H01L31/18(2006.01)I;H01L31/0236(2006.01)I;H01L31/068(2012.01)I |
主分类号 |
H01L31/18(2006.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
一种双绒面晶体硅太阳电池的制造方法,其特征在于,其制造工艺流程为:1、制绒及扩散前清洗;2、扩散制结;3、背表面镀膜;4、刻蚀去边结及去PSG(磷硅玻璃),5、PECVD镀膜;6、丝网印刷金属化电极及烧结。 |
地址 |
330098 江西省南昌市青山湖区瑶湖高校园区 |