发明名称 具有快闪内存的储存装置及快闪内存的储存方法
摘要 本发明是有关一种具有快闪内存的储存装置及快闪内存的储存方法。该具有快闪内存的储存装置,包含一快闪内存及一与该快闪内存电连接的控制单元;该快闪内存包括多数个第一晶体管及多数个第二晶体管;该控制单元接收一资料写入指令,若指令内容为储存于该些第一晶体管中,则该控制单元依一第一动态平均读写演算法将该笔资料储存于第一晶体管中,若储存于该些第二晶体管中,则依一第二动态平均读写演算法将该笔资料储存于第二晶体管中;该控制单元还依一第一静态平均读写演算法管理第一晶体管中的资料,并依一第二静态平均读写演算法管理第二晶体管中的资料。本发明可以针对不同的快闪内存有不同的管理手段以延长快闪内存寿命。
申请公布号 CN101751995B 申请公布日期 2014.10.01
申请号 CN200810185753.9 申请日期 2008.12.10
申请人 宇瞻科技股份有限公司 发明人 李毓轩
分类号 G11C16/02(2006.01)I;G11C16/06(2006.01)I 主分类号 G11C16/02(2006.01)I
代理机构 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 代理人 赵根喜;李昕巍
主权项 一种具有快闪内存的储存装置,其特征在于该储存装置包含:一快闪内存,包括多数个第一晶体管及多数个第二晶体管;以及一控制单元,与该快闪内存电连接,该控制单元依一第一静态平均读写演算法管理该些第一晶体管中的资料,并依一第二静态平均读写演算法管理该些第二晶体管中的资料;其中,该些第一晶体管分别具有只能被写入资料达一第一上限次数的使用寿命,该些第二晶体管分别具有只能被写入资料达一第二上限次数的使用寿命,该控制单元则是依据该第一上限次数决定该第一静态平均读写演算法的一第一设定参数,以管理该些第一晶体管中的资料,该控制单元并依据该第二上限次数决定该第二静态平均读写演算法的一第二设定参数,以管理该些第二晶体管中的资料;且该控制单元还依据各该第一晶体管被写入资料的次数和该第一上限次数以及各该第二晶体管被写入资料的次数和该第二上限次数,判断是否应下修该第一设定参数、该第二设定参数,当该控制单元判断出应下修该第一设定参数、该第二设定参数时,则将该第一设定参数、该第二设定参数下修。
地址 中国台湾台北县