藉由原子层沈积之用于薄膜电晶体之金属氧化物层组合物控制;METAL OXIDE LAYER COMPOSITION CONTROL BY ATOMIC LAYER DEPOSITION FOR THIN FILM TRANSISTOR

摘要

本发明提供用于一基板上之一薄膜电晶体(TFT)器件之系统、方法及装置。在一项态样中,该TFT器件包含一闸极电极、一个氧化物半导体层,以及在该闸极电极与该氧化物半导体层之间的一闸极绝缘体。该氧化物半导体层包含至少两种金属氧化物,其中该两种金属氧化物在该氧化物半导体层之一下表面与一上表面之间相对于彼此具有一变化浓度。该TFT器件亦包含毗邻于该氧化物半导体层之一部分之一源极金属及毗邻于该氧化物半导体层之另一部分之一汲极金属。该氧化物半导体层之成分可藉由使用原子层沈积(ALD)之一顺序沈积技术而精确控制。