非挥发性半导体记忆体装置

摘要

本发明提供一种非挥发性半导体记忆体装置，具有共用背闸极的独立双闸极SONOS记忆胞阵列的非挥发性记忆体结构，可应用于三维积成的快闪记忆体上。此种结构由于独立双闸极的控制，具有改善短通道效应、高写入或抹移除效率，及有效避免读取干扰等操作特性上的优点，藉由共用背闸极以及无接面的特性，可大幅简化制程。

主权项

一种非挥发性半导体记忆体装置，包括：一第一半导体通道层，包含相对之一第一表面及一第二表面；一第一介面层，系位于该第一表面上；复数个第一闸极，系间隔设置于该第一介面层上；一第二介面层，系位于该第二表面上；及一第二闸极，系位于该第二介面层上，作为该些第一闸极之共用闸。