发明名称 |
使用双射频偏压频率施加方式的非晶碳沉积方法;AN AMORPHOUS CARBON DEPOSITION PROCESS USING DUAL RF BIAS FREQUENCY APPLICATIONS |
摘要 |
本文提供一种用于形成具有所要的薄膜机械强度、低薄膜应力以及光学薄膜性质之非晶碳层之方法。在一实施例中,一种形成非晶碳层之方法包括以下步骤:藉由施加射频电源形成供应于处理腔室中包括烃气之沉积气体混合物之电浆;对设置于处理腔室中之第一电极施加低频率射频偏压功率及高频率射频偏压功率;控制该高频率射频偏压功率与低频率射频偏压功率之功率比;及在设置于处理腔室中之基板上形成非晶碳层。 |
申请公布号 |
TW201438062 |
申请公布日期 |
2014.10.01 |
申请号 |
TW103102732 |
申请日期 |
2014.01.24 |
申请人 |
应用材料股份有限公司 |
发明人 |
李光德道格拉斯;李元锡;西蒙斯马丁杰 |
分类号 |
H01L21/205(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/205(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
<name>蔡坤财</name><name>李世章</name> |
主权项 |
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地址 |
美国 |