发明名称 背接触式太阳能电池及其制造方法
摘要 一种背接触式太阳能电池及其制造方法,该电池包含:一包括一第一面的基板,该第一面具有一第一区域、一第二区域,以及一位于该第一区域与该第二区域之间的第三区域,该第一区域、该第二区域及该第三区域共同形成一个二阶阶梯结构。该电池还包含分别位于该第一区域与该第二区域的一第一掺杂区与一第二掺杂区,以及一位于该第一面上且电连接于该第一掺杂区及该第二掺杂区的电极单元。该制造方法主要是透过两次的蚀刻步骤来形成该二阶阶梯结构,藉此能使该电极单元的接触金属隔离制程易于进行,有助于减少制程步骤并使制程简单化。
申请公布号 TWI455335 申请公布日期 2014.10.01
申请号 TW101122816 申请日期 2012.06.26
申请人 茂迪股份有限公司 新北市深坑区北深路3段248号6楼 发明人 谢伯宗;赖光杰;李可欣;黄世贤
分类号 H01L31/042;H01L31/18 主分类号 H01L31/042
代理机构 代理人 高玉骏 台北市松山区南京东路3段248号7楼;杨祺雄 台北市松山区南京东路3段248号7楼
主权项 一种背接触式太阳能电池,包含:一基板,包括一第一面,该第一面具有一第一区域、一第二区域,以及一位于该第一区域与该第二区域之间的第三区域,该第一区域、该第二区域及该第三区域共同形成一个二阶阶梯结构;一第一掺杂区,位于该第一面的第一区域;一第二掺杂区,位于该第一面的第二区域;及一电极单元,位于该第一面上且电连接于该第一掺杂区及该第二掺杂区。
地址 新北市深坑区北深路3段248号6楼
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