| 发明名称 | 一种高频小功率晶体管的封装方法及装置 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种高频小功率晶体管的封装方法及装置。该方法是通过改变上电极与晶体管管座的接触位置，使上电极与晶体管管座接触时能够有效避开极性标志；同时通过减小上电极与晶体管管座的接触面积，使焊接时可以减小焊接电流而确保焊接处的电流密度不变而不影响晶体管管座与管壳之间的焊接质量。本发明通过对上电极的改进，避免了晶体管管座上极性标志与下电极之间的放电，使得晶体管封装的合格率由现有的不足75%提高至95%以上，封装效果良好。 | ||
| 申请公布号 | CN104078370A | 申请公布日期 | 2014.10.01 |
| 申请号 | CN201410168907.9 | 申请日期 | 2014.04.25 |
| 申请人 | 中国振华集团永光电子有限公司 | 发明人 | 陈友龙;赵智平;田文燕;陈江 |
| 分类号 | H01L21/56(2006.01)I;H01L29/41(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/56(2006.01)I |
| 代理机构 | 贵阳中新专利商标事务所 52100 | 代理人 | 刘楠 |
| 主权项 | 一种高频小功率晶体管的封装方法，其特征在于：该方法是通过改变上电极与晶体管管座的接触位置，使上电极与晶体管管座接触时能够有效避开极性标志；同时通过减小上电极与晶体管管座的接触面积，使焊接时可以减小焊接电流而确保焊接处的电流密度不变而不影响晶体管管座与管壳之间的焊接质量。 | ||
| 地址 | 550018 贵州省贵阳市乌当区新添大道北段270号 | ||