| 发明名称 | 提高轻掺杂漏极注入位置准确性的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种提高轻掺杂漏极注入位置准确性的方法，包括下列步骤：在晶圆上淀积多晶硅；在所述多晶硅上涂覆光刻胶，使用第一光刻掩膜版进行曝光和显影后对所述多晶硅进行刻蚀，形成第一栅极；对所述晶圆进行第一器件区的轻掺杂漏极离子注入；去除所述光刻胶。本发明高压器件区栅极和高压器件区的LDD注入图形之间不会产生相对偏移，因此提高了轻掺杂漏极注入位置的准确性。 | ||
| 申请公布号 | CN104078338A | 申请公布日期 | 2014.10.01 |
| 申请号 | CN201310108536.0 | 申请日期 | 2013.03.29 |
| 申请人 | 无锡华润上华科技有限公司 | 发明人 | 李健 |
| 分类号 | H01L21/266(2006.01)I;H01L21/8234(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/266(2006.01)I |
| 代理机构 | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人 | 邓云鹏 |
| 主权项 | 一种提高轻掺杂漏极注入位置准确性的方法，包括下列步骤：在晶圆上淀积多晶硅；在所述多晶硅上涂覆光刻胶，使用第一光刻掩膜版进行曝光和显影后对所述多晶硅进行刻蚀，形成第一栅极；对所述晶圆进行第一器件区的轻掺杂漏极离子注入；去除所述光刻胶。 | ||
| 地址 | 214028 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区新洲路8号 | ||