| 发明名称 | 基于离子注入的沟槽式浮动结碳化硅SBD器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种基于离子注入的沟槽式浮动结碳化硅SBD器件，所述碳化硅SBD器件包括金属、Si0<sub>2</sub>隔离介质、沟槽、一次N-外延层、P+离子注入区、二次N<sup>-</sup>外延层、N<sup>+</sup>衬底区、欧姆接触区，其中，所述沟槽与P+离子注入区上下对齐，形状相同，或者与非P+离子注入区，上下对齐，形状相同，沟槽和P+离子注入区为水平分布的条状的沟槽和浮动结。本发明集合了沟槽式碳化硅SBD和和浮动结碳化硅SBD的优点，提高了击穿电压，降低了导通电阻。 | ||
| 申请公布号 | CN104078516A | 申请公布日期 | 2014.10.01 |
| 申请号 | CN201410166389.7 | 申请日期 | 2014.04.21 |
| 申请人 | 西安电子科技大学 | 发明人 | 宋庆文;杨帅;汤晓燕;张艺蒙;贾仁需;张玉明;王悦湖 |
| 分类号 | H01L29/872(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/329(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/872(2006.01)I |
| 代理机构 | 代理人 | ||
| 主权项 | 一种基于离子注入的沟槽式浮动结碳化硅SBD器件，其特征在于，其包括金属、SiO<sub>2</sub>隔离介质、沟槽、一次N‑外延层、P+离子注入区、二次N<sup>‑</sup>外延层、N<sup>+</sup>衬底区、欧姆接触区，其中，所述沟槽与P+离子注入区上下对齐，形状相同，或者与非P+离子注入区，上下对齐，形状相同，沟槽和P+离子注入区为水平分布的条状的沟槽和浮动结。 | ||
| 地址 | 710071 陕西省西安市雁塔区太白南路2号 | ||