发明名称 |
一种高导热碳化硅陶瓷材料及其制备方法 |
摘要 |
本发明公开了一种高导热碳化硅陶瓷材料,所述的高导热碳化硅陶瓷材料由以下成分按照重量比组成:碳化硅29~35份、氧化锆11~15份、碳化镁5~11份、二氧化钛6~8份、碳化钨6~12份、氧化锂3~6份。所述的一种高导热碳化硅陶瓷材料的制备方法,包括以下步骤:(1)取碳化硅29~35份、氧化锆11~15份、碳化镁5~11份、二氧化钛6~8份、碳化钨6~12份、氧化锂3~6份,机械粉碎;(2)将机械粉碎后的混合粉末用球磨机进行球磨;(3)用球磨机进行球磨后将混合粉末在模具中进行高温烧结,首先将混合粉末升温,再冷却至室温,制备得到碳化硅陶瓷材料。 |
申请公布号 |
CN104072143A |
申请公布日期 |
2014.10.01 |
申请号 |
CN201410339137.X |
申请日期 |
2014.07.16 |
申请人 |
苏州立瓷电子技术有限公司 |
发明人 |
孙道明 |
分类号 |
C04B35/565(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I |
主分类号 |
C04B35/565(2006.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
一种高导热碳化硅陶瓷材料,其特征在于所述的高导热碳化硅陶瓷材料由以下成分按照重量比组成:<img file="FSA0000106329360000011.GIF" wi="725" he="535" /> |
地址 |
215000 江苏省苏州市吴中区木渎镇中山东路70号3407室 |