具有穿过埋入式绝缘层在半导体区域间的接点之装置及其制造方法

摘要

依据一第一层面，本发明系关于一种在一绝缘体上半导体基底上产生的半导体装置，该半导体装置包含藉由一埋入式绝缘层与一基底层分离的一薄层半导体材料，该装置在该薄层中包含一第一导电区域，且在该基底层中包含一第二导电区域，且其特征在于，穿过该绝缘层将该第一区域连接至该第二区域的一接点。;依据一第二层面，本发明系关于一种制造依据其第一层面的一半导体装置之程序。

主权项

一种在绝缘体上半导体基底上产制的半导体装置，该基底包含藉由一埋入式绝缘层与一基底层分离的一薄层半导体材料，该装置包含在该薄层中之一第一导电区域，在该基底层中之一第二导电区域，在该薄层中之一场效电晶体的一源极区域及一通道区域，且其特征在于，一穿过该绝缘层将该第一导电区域连接至该第二导电区域的接点，其中该第一导电区域构成一双极电晶体之射极，该双极电晶体之基极系由该通道区域形成，且其中该第二导电区域属于一埋入式注入线。