垂直式电晶体及其制造方法

摘要

一种垂直式电晶体，包括：一基底、一基底氧化层、一磊晶矽层、一绝缘氧化层、二闸极氧化膜及一闸极堆叠层，该基底氧化层设于基底上，该基底氧化层凹设有一闸极凹槽，该基底之表层内相对于闸极凹槽设有至少一第一掺杂区，该磊晶矽层设于该基底及基底氧化层上，磊晶矽层之表层内设有至少一第二掺杂区，该绝缘氧化层设于磊晶矽层上，该二闸极氧化膜设于磊晶矽层相对之二侧，该闸极堆叠层堆叠于二闸极氧化膜及基底氧化层上；藉此，相较于传统之平面式电晶体，可大幅降低电晶体横向单位面积，增加半导体元件之积集度，且能保持电晶体之效能。本发明另提供一种垂直式电晶体制造方法。

主权项

一种垂直式电晶体，包括：一基底；一基底氧化层，其设于该基底上，该基底氧化层凹设有一闸极凹槽，该基底之表层内相对于该闸极凹槽设有二第一掺杂区，且该二第一掺杂区之间设有一浅凹沟绝缘区；一磊晶矽层，其设于该基底及该基底氧化层上，该磊晶矽层之表层内设有至少一第二掺杂区；一绝缘氧化层，其设于该磊晶矽层上；二闸极氧化膜，其设于该磊晶矽层相对之二侧；以及一闸极堆叠层，其堆叠于该二闸极氧化膜及该基底氧化层上。