发明名称 半导体装置及其制造方法
摘要 提供一种抑制伸出状态的半导体芯片的引线接合时的裂缝和/或破裂等的发生的半导体装置。实施方式的半导体装置1包括:第1芯片群5,具备在电路基础材料2上装载的第1半导体芯片4;第2芯片群10,具备在第1芯片群5上层叠的多个第2半导体芯片9。第2半导体芯片9以使最下层的第2半导体芯片9A从第1芯片群5突出的方式以台阶状层叠。布线基板2和第2半导体芯片9由第2金属引线13电连接。第2金属引线13,对于最下层的第2半导体芯片9A的第2电极焊盘11,仅通过1次的球接来连接。
申请公布号 CN104078439A 申请公布日期 2014.10.01
申请号 CN201310364657.1 申请日期 2013.08.20
申请人 株式会社 东芝 发明人 渡边昭吾
分类号 H01L23/498(2006.01)I;H01L23/488(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I 主分类号 H01L23/498(2006.01)I
代理机构 北京市中咨律师事务所 11247 代理人 陈海红;段承恩
主权项 一种半导体装置,其特征在于,包括:电路基础材料;第1芯片群,具备含有第1电极焊盘的至少1个的第1半导体芯片,并装载在上述电路基础材料上;第2芯片群,具备含有第2电极焊盘的3个以上的第2半导体芯片,上述3个以上的第2半导体芯片以使上述第2电极焊盘露出,并且最下层的第2半导体芯片从上述第1芯片群突出的方式以台阶状层叠在上述第1芯片群上;第1金属引线,电连接上述电路基础材料和上述第1半导体芯片的上述第1电极焊盘;第2金属引线,电连接上述电路基础材料和上述第2半导体芯片的上述第2电极焊盘;密封树脂层,将上述第1及第2芯片群与上述第1及第2金属引线一起密封;其中,上述第2金属引线,对于上述最下层的第2半导体芯片的上述第2电极焊盘,仅通过1次的球接来连接;上述3个以上的上述第2半导体芯片的上述第2电极焊盘,通过与下层侧的第2半导体芯片的上述第2电极焊盘球接,并且与上端侧的第2半导体芯片的上述第2电极焊盘经由凸块针脚连接的上述第2金属引线按顺序电连接;除去上述最下层的第2半导体芯片之外的第2半导体芯片的上述第2电极焊盘中的1个经由上述第2金属引线与上述电路基础材料电连接。
地址 日本东京都