发明名称 半导体装置
摘要 本发明提供一种具有高可靠性的半导体装置。半导体装置具有:元件区域,形成半导体元件;以及周边区域,夹着所述元件区域。周边区域具有第1绝缘层、第2绝缘层、场板电极、以及第1层。第1绝缘层从半导体层的第1位置到位于第1位置上方的第2位置被形成为筒状。第2绝缘层形成为从半导体层的第2位置到位于第2位置上方的第3位置,并且形成为比第1绝缘层薄且具有比第1绝缘层的内径大的内径的筒状。场板电极设置于第1绝缘层以及第2绝缘层的内侧,在上部具有凹部。第1层设置于凹部,由与场板电极不同的材料构成。
申请公布号 CN104078503A 申请公布日期 2014.10.01
申请号 CN201310322233.9 申请日期 2013.07.29
申请人 株式会社东芝 发明人 野津哲郎
分类号 H01L29/78(2006.01)I;H01L29/40(2006.01)I 主分类号 H01L29/78(2006.01)I
代理机构 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人 杨谦;房永峰
主权项 一种半导体装置,其特征在于,具备形成半导体元件的元件区域以及夹着所述元件区域的周边区域,所述周边区域具备:从半导体层的第1位置开始到位于所述第1位置上方的第2位置为止形成的筒状的第1绝缘层;从所述半导体层的所述第2位置开始到位于所述第2位置上方的第3位置为止形成的筒状的第2绝缘层,并且该第2绝缘层比所述第1绝缘层薄且具有比所述第1绝缘层的内径大的内径;设置于所述第1绝缘层以及所述第2绝缘层的内侧,在上部具有凹部的场板电极;以及设置于所述凹部,由与所述场板电极不同的材料构成的第1层。
地址 日本东京都