发明名称 |
用于金属互连结构缺陷分析的测试结构 |
摘要 |
本实用新型提供一种用于金属互连结构缺陷分析的测试结构,所述测试结构包括:下层金属层、层间介质、上层金属层,以及形成于层间介质中的通孔金属;其中,所述上层金属层与所述通孔金属相连,所述下层金属层具有与所述通孔金属对应设置绝缘区域,以使所述通孔金属与所述下层金属层之间具有预设间距;或者所述下层金属层与所述通孔金属相连,所述上层金属层具有与所述通孔金属对应设置绝缘区域,以使所述通孔金属与所述上层金属层之间具有预设间距。通过本实用新型的测试结构及测试方法,不仅可以检测出由于金属层与通孔金属为完整覆盖所引起的通孔金属附着缺陷及被腐蚀等问题,还可以用于芯片的FA测试阶段,大大降低通孔金属出现问题的次数。 |
申请公布号 |
CN203859112U |
申请公布日期 |
2014.10.01 |
申请号 |
CN201420238913.2 |
申请日期 |
2014.05.09 |
申请人 |
中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
发明人 |
张冠杰 |
分类号 |
H01L23/544(2006.01)I;G01N27/00(2006.01)I |
主分类号 |
H01L23/544(2006.01)I |
代理机构 |
上海光华专利事务所 31219 |
代理人 |
李仪萍 |
主权项 |
一种用于金属互连结构缺陷分析的测试结构,其特征在于,至少包括:依次层叠的下层金属层、层间介质、上层金属层,以及形成于层间介质中的通孔金属;其中,所述上层金属层与所述通孔金属相连,所述下层金属层具有与所述通孔金属对应设置绝缘区域,以使所述通孔金属与所述下层金属层之间具有预设间距。 |
地址 |
100176 北京市大兴区大兴区经济技术开发区(亦庄)文昌大道18号 |