发明名称 | 积体电感结构以及积体电感结构制造方法;INTEGRATED INDUCTOR AND INTEGRATED INDUCTOR FABRICATING METHOD | ||
摘要 | 本发明系提供一种积体电感结构以及一种积体电感结构制造方法,该积体电感结构包含有:一半导体基底、复数个直通矽晶穿孔以及一电感。该些直通矽晶穿孔系形成于该半导体基底中并排列成一特定图案,且该些直通矽晶穿孔中系填充一金属材料,以形成一图案式接地防护;以及该电感系形成于该半导体基底上方。该积体电感结构制造方法包含有:形成一半导体基底;于该半导体基底中形成复数个直通矽晶穿孔,并将该些直通矽晶穿孔排列成一特定图案;于该些直通矽晶穿孔中填充一金属材料,以形成一图案式接地防护;以及于该半导体基底上方形成一电感。 | ||
申请公布号 | TW201438036 | 申请公布日期 | 2014.10.01 |
申请号 | TW102110485 | 申请日期 | 2013.03.25 |
申请人 | 瑞昱半导体股份有限公司 | 发明人 | 叶达勋 |
分类号 | H01F17/00(2006.01);H01F41/04(2006.01) | 主分类号 | H01F17/00(2006.01) |
代理机构 | 代理人 | <name>吴丰任</name><name>戴俊彦</name> | |
主权项 | |||
地址 | 新竹市新竹科学园区创新二路2号 |