发明名称 积体电感结构以及积体电感结构制造方法;INTEGRATED INDUCTOR AND INTEGRATED INDUCTOR FABRICATING METHOD
摘要 本发明系提供一种积体电感结构以及一种积体电感结构制造方法,该积体电感结构包含有:一半导体基底、复数个直通矽晶穿孔以及一电感。该些直通矽晶穿孔系形成于该半导体基底中并排列成一特定图案,且该些直通矽晶穿孔中系填充一金属材料,以形成一图案式接地防护;以及该电感系形成于该半导体基底上方。该积体电感结构制造方法包含有:形成一半导体基底;于该半导体基底中形成复数个直通矽晶穿孔,并将该些直通矽晶穿孔排列成一特定图案;于该些直通矽晶穿孔中填充一金属材料,以形成一图案式接地防护;以及于该半导体基底上方形成一电感。
申请公布号 TW201438036 申请公布日期 2014.10.01
申请号 TW102110485 申请日期 2013.03.25
申请人 瑞昱半导体股份有限公司 发明人 叶达勋
分类号 H01F17/00(2006.01);H01F41/04(2006.01) 主分类号 H01F17/00(2006.01)
代理机构 代理人 <name>吴丰任</name><name>戴俊彦</name>
主权项
地址 新竹市新竹科学园区创新二路2号