图案形成方法、组成物套组、抗蚀剂膜、及使用它们的电子元件的制造方法及电子元件;PATTERN FORMING METHOD, COMPOSITION KIT, RESIST FILM, METHOD FOR MANUFACTURING ELECTRONIC DEVICE USING THE SAME AND ELECTRONIC DEVICE

摘要

本发明提供一种于线宽为60 nm以下的微细图案的形成中，感度、解析力、LWR及图案形状优异的图案形成方法、组成物套组、使用其的抗蚀剂膜、电子元件的制造方法及电子元件。上述图案形成方法包括：(i)使用感电子束性或感极紫外线性树脂组成物于基板上形成膜的步骤；(ii)使用含有具有由通式(I-1)~通式(I-5)所表示的重复单元的至少任一者的树脂(T)的顶涂组成物，于上述膜上形成顶涂层的步骤；(iii)使用电子束或极紫外线对具有上述顶涂层的膜进行曝光的步骤；以及(iv)于上述曝光后，对具有上述顶涂层的膜进行显影而形成图案的步骤。;上述通式(I-1)~通式(I-5)中，Rt1、Rt2及Rt3分别独立地表示氢原子、烷基、环烷基、卤素原子、氰基、或烷氧基羰基。其中，Rt2可与Lt1键结而形成环。Xt1分别独立地表示单键、-COO-或-CONRt7-。Rt7表示氢原子或烷基。Lt1分别独立地表示单键、伸烷基、伸芳基或该些的组合，其间可插入-O-或-COO-，当与Lt2连结时，与Lt2之间可经由-O-而连结。Rt4、Rt5、及Rt6分别独立地表示烷基或芳基。Lt2表示具有至少1个拉电子基的伸烷基或伸芳基。