| 发明名称 |
电路连接材料、使用其之薄膜状电路连接材料、电路构件之连接构造及其制造方法 |
| 摘要 |
本发明系一种电路连接材料，其系用于连接电路构件30、40彼此，该电路构件30系电极32及绝缘层33于基板31之面31a上邻接形成；该电路构件40系电极42及绝缘层43于基板41之面41a上邻接形成，绝缘层33、43之缘部33a、43a以主面31a、41a作为基准较电极32、42为厚地形成，其特征在于包含：接着剂组合物51；及导电粒子12，其系平均粒径为1 μm以上、10 μm以下，且硬度为1.961~6.865 Gpa；藉由硬化处理，于40℃之储存弹性模数成为0.5~3 GPa，25℃至100℃之平均热膨胀系数成为30~200 ppm/℃。 |
| 申请公布号 |
TWI455151 |
申请公布日期 |
2014.10.01 |
| 申请号 |
TW100114936 |
申请日期 |
2004.06.25 |
| 申请人 |
日立化成股份有限公司 日本 |
发明人 |
有福征宏;渡边伊津夫;后藤泰史;小林宏治;小岛和良 |
| 分类号 |
H01B1/22;H01L21/60;H05K3/32;C09J9/02;C09J163/00 |
主分类号 |
H01B1/22 |
| 代理机构 |
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代理人 |
陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼 |
| 主权项 |
一种电路连接材料，其系含有接着剂组合物；及导电粒子，该导电粒子之平均粒径为1 μm以上、未达10 μm，且硬度为1.961~6.865 GPa；该电路连接材料系藉由硬化处理，于40℃之储存弹性模数成为0.5~3 GPa，硬化处理后之25℃至100℃之平均热膨胀系数成为30~200 ppm/℃。 |
| 地址 |
日本 |
