发明名称 发光二极体封装结构及其制造方法
摘要 一种发光二极体封装结构,包括基板、电极、反射杯、发光二极体晶片和封装层。所述基板包括第一表面、相对的第二表面及两相对侧面。所述电极至少为两个,所述电极形成在所述基板上,且自第一表面沿两相对侧面延伸至第二表面,所述发光二极体晶片与所述电极电性连接。所述反射杯位于所述基板的第一表面,且向下延伸覆盖所述电极位于基板侧面的部分。所述封装层覆盖所述发光二极体晶片,并填满所述反射杯。本发明还涉及一种发光二极体封装结构的制造方法。
申请公布号 TWI455363 申请公布日期 2014.10.01
申请号 TW100112714 申请日期 2011.04.13
申请人 荣创能源科技股份有限公司 新竹县湖口乡新竹工业区工业五路13号 发明人 蔡明达;陈靖中
分类号 H01L33/48 主分类号 H01L33/48
代理机构 代理人
主权项 一种发光二极体封装结构的制造方法,包括以下步骤:提供两基片,每一基片具有相对的外表面和接合面,所述两基片上对应位置处形成有贯穿外表面和接合面的多条通孔,在该通孔靠近接合面的开口两侧或者周围均形成阶梯结构;在基片的表面上形成电极,所述电极覆盖所述外表面、所述通孔和阶梯结构的内壁表面;将两基片的接合面相接合,并使得所述电极对应电连接,形成基板,所述两基片的外表面分别为所述基板的上表面和下表面,所述阶梯结构对应形成凹槽;将发光二极体晶片固定于基板上表面,并将发光二极体晶片与所述电极电性连接;在所述基板的上表面形成反射杯,该反射杯向下延伸,填满所述通孔及凹槽;于反射杯内形成一封装层,覆盖所述发光二极体晶片;沿通孔切割,得到发光二极体封装结构。
地址 新竹县湖口乡新竹工业区工业五路13号