| 发明名称 |
具有垂直结构之发光二极体及其制造方法 |
| 摘要 |
本发明揭示一种具有垂直结构的发光二极体。尤其是揭示一种具有垂直结构的发光二极体、其可以改善发光效率和可靠度、且亦可以达成大量生产，以及其制造方法。此发光二极体的制造方法包括：在一基板上形成一半导体层；在半导体层上形成一第一电极；在第一电极上形成一支持层；在基板和半导体层之间之介面产生一声学应力波，因此将基板从半导体层处分开；并在半导体层上形成一第二电极，该半导体层是藉由从基板上分离而曝露。 |
| 申请公布号 |
TWI455345 |
申请公布日期 |
2014.10.01 |
| 申请号 |
TW096103547 |
申请日期 |
2007.01.31 |
| 申请人 |
ＬＧ电子股份有限公司 南韩;ＬＧ伊诺特股份有限公司 南韩 |
发明人 |
张峻豪;崔在完;裵德圭;曹贤敬;朴种国;金善正;李政洙 |
| 分类号 |
H01L33/00 |
主分类号 |
H01L33/00 |
| 代理机构 |
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代理人 |
洪尧顺 台北市内湖区行爱路176号3楼 |
| 主权项 |
一种制造具有垂直结构发光二极体(LED)之方法，包括：在一基板上形成一半导体层；在半导体层上形成一第一电极；在第一电极上形成一支持层；在基板和半导体层之间的介面上产生一声学应力波，而将基板从半导体层上分离；以及在半导体层上形成一第二电极，该半导体层经由与基板分离而曝露。 |
| 地址 |
南韩 |
