发明名称 |
生产具有改进电导率的半导电或导电层的方法 |
摘要 |
本发明涉及生产具有改进导电率且特别适于生产挠性薄膜晶体管的半导电或导电金属氧化物层的方法,由此生产的金属氧化物层及其在生产电子组件中的用途。 |
申请公布号 |
CN104081498A |
申请公布日期 |
2014.10.01 |
申请号 |
CN201380006470.2 |
申请日期 |
2013.01.10 |
申请人 |
默克专利有限公司 |
发明人 |
M·赫尔明;A·克吕斯兹克兹;K·波拉德;P·科尔施;A·伊萨宁;D·瓦尔克 |
分类号 |
H01L21/02(2006.01)I;H01L21/368(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/02(2006.01)I |
代理机构 |
北京市中咨律师事务所 11247 |
代理人 |
唐秀玲;林柏楠 |
主权项 |
生产半导电或导电金属氧化物层的方法,其中将包含一种或多种有机金属化合物的金属氧化物溶液或分散体a)作为层施加于基质上,b)任选干燥,并将所得金属氧化物前体层c)热、通过用UV和/或IR辐射处理、或者通过其两种或更多种的组合转化成氧化物层,和d)任选冷却,其中步骤a)‑d)在基质上的相同位置上一个接一个地进行至少两次,形成金属氧化物多层。 |
地址 |
德国达姆施塔特 |