| 发明名称 | 一种SRAM存储器及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种SRAM存储器及其制备方法，所述方法包括：提供半导体衬底；对所述半导体衬底上的下拉晶体管进行halo/LDD离子注入；对所述半导体衬底上的上拉晶体管进行halo/LDD离子注入；对所述半导体衬底上的核心区的PMOS区域进行halo/LDD离子注入；对所述半导体衬底上的核心区的NMOS区域进行halo/LDD离子注入；对所述半导体衬底上的输入输出区的PMOS区域进行halo/LDD离子注入；对所述半导体衬底上的输入输出区的NMOS区域进行halo/LDD离子注入。本发明所述方法改变现有技术中的常规离子注入顺序，SRAM器件在形成栅极结构之后，对栅刻蚀损伤进行修复，然后立即执行PD halo/LDD离子注入的步骤，PD器件经历了最少光刻胶的灰化和湿法剥离工艺，PD阈值电压失配达到最小，可以有效提高SRAM的良率。 | ||
| 申请公布号 | CN104078427A | 申请公布日期 | 2014.10.01 |
| 申请号 | CN201310099850.7 | 申请日期 | 2013.03.26 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 李勇;陶佳佳;居建华 |
| 分类号 | H01L21/8244(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I;H01L27/11(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/8244(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人 | 董巍;高伟 |
| 主权项 | 一种SRAM存储器的制备方法，所述方法包括：提供半导体衬底；对所述半导体衬底上的下拉晶体管进行halo/LDD离子注入；对所述半导体衬底上的上拉晶体管进行halo/LDD离子注入；对所述半导体衬底上的核心区的PMOS区域进行halo/LDD离子注入；对所述半导体衬底上的核心区的NMOS区域进行halo/LDD离子注入；对所述半导体衬底上的输入输出区的PMOS区域进行halo/LDD离子注入；对所述半导体衬底上的输入输出区的NMOS区域进行halo/LDD离子注入。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||