一种改进的通孔只读存储单元

摘要

本发明公开了一种改进的通孔只读存储单元，包括两条支路，所述两条支路的每条都包括一个MOS场效应晶体管，所述MOS场效应晶体管包括栅极，栅极的栅介质和栅介质下面的第1和第2掺杂半导体区，所述第1和第2掺杂半导体区分别作为MOS管的源极和漏极。本发明优化了ROM存储阵列面积问题；稳定性也得到了保障；还可以避免采用基准电路带来的不匹配问题，极大地提高了读取的稳定性；该架构具有很重要的研究意义和广阔的市场前景。

主权项

一种改进的通孔只读存储单元，包括两条支路，其特征在于，所述两条支路的每条都包括一个MOS场效应晶体管，所述MOS场效应晶体管包括栅极，栅极的栅介质和栅介质下面的第1和第2掺杂半导体区，所述第1和第2掺杂半导体区分别作为MOS管的源极和漏极。