一种沟槽隔离横向绝缘栅双极型晶体管

摘要

本发明提供了一种能够提高普通绝缘栅双极型晶体管耐压能力、高温特性，且无电流回跳现象的半导体器件。该半导体具备：P型衬底上设有埋氧层，其上设有漂移区，漂移区一侧设有P型体区，另一侧设有N型缓冲层，且P行体区内设有相连的P型发射极区和N型发射极区，其上有用于连接两者的金属以及发射极金属场板，在N型缓冲层内设有P型集电极区，其上设有由于连接的金属以及集电极金属场板，在埋氧层和N型发射区之间的P型体区上方设有多晶硅栅，在N型体区外侧设有两个沟槽隔离层，其间有供载流子流动的间隙，在沟槽隔离层的外侧设有两个N型集电极区，其通过金属与P型集电极相连。

主权项

一种沟槽隔离横向绝缘栅双极型晶体管，包括：P型衬底（1）和场氧层（20），在P型衬底（1）上设有埋氧（2），在埋氧（2）上设有漂移区（3），在漂移区（3）的上表面上方设有氧化层（19），在漂移区（3）内的上表面下方设有P型体区（4）和N型缓冲层（7），所述场氧层（20）位于P型体区（4）和N型缓冲层（7）之间且位于漂移区（3）与氧化层（19）之间，在P型体区（4）内设有相连的P型发射极区（6）和N型发射极区（5），在N型缓冲层（7）内设有P型集电极区（8），在氧化层（19）内设有多晶硅栅（17），所述多晶硅栅（17）一端位于N型发射极区（5）边界的上方，所述多晶硅栅（17）的另一端延伸至场氧层（20）并覆盖场氧层（20）的部分表面，在多晶硅栅（17）上方连接有栅极铝电极（23），在P型发射极区（6）和N型发射极区（5）上方分别设有第一发射极铝电极（15）和第二发射极铝电极（16），在P型集电极区（8）上方设有第一集电极铝电极（21），在氧化层（19）上方P型体区一侧设有与第一发射极铝电极（15）和第二发射极铝电极（16）相连的发射极金属场板（18），在氧化层（19）上方P型集电极一侧设有与第一集电极铝电极（21）相连的集电极金属场板（22），在氧化层（19）上方设有与栅极铝电极（23）相连的栅电极金属（24），其特征在于，在埋氧（2）上设有第一沟槽隔离层（11）和第二沟槽隔离层（12），所述第一沟槽隔离层（11）和第二沟槽隔离层（12）与P型体区（4）分别位于N型缓冲层（7）的两侧，所述第一沟槽隔离层（11）和第二沟槽隔离层（12）分别嵌入漂移区（3）并分别贯穿漂移区（3），所述第一沟槽隔离层（11）和第二沟槽隔离层（12）的一个表面位于与N型缓冲层（7）平行且垂直于埋氧（2）的一个平面内，所述第一沟槽隔离层（11）和第二沟槽隔离层（12）的另一个表面位于与N型缓冲层（7）平行且垂直于埋氧（2）的另一个平面内，在漂移区（3）内的上表面下方设有第一N型集电极区（9）和第二N型集电极区（10），所述第一N型集电极区（9）与N型缓冲层（7）分别位于第一沟槽隔离层（11）的两侧，所述第二N型集电极区（10）与N型缓冲层（7）分别位于第二沟槽隔离层（12）的两侧，在第一N型集电极区（9）上连接有与集电极金属场板（22）相连的第二集电极铝电极（13），在第二N型集电极区（10）上连接有与集电极金属场板（22）相连的第三集电极铝电极（14）。