发明名称 |
一种均匀、高致密度纳米颗粒膜的制备方法及装置 |
摘要 |
一种均匀、高致密度纳米颗粒薄膜的制备装置和方法,该装置包括溅射靶枪(3)、基片(15)、样品台(16)、溅射室(1)、过渡室(10)、沉积室(25)、高电压系统(27)、过渡室真空系统(28)和沉积室真空系统(31),本发明的关键在于,通过在衬底上施加电压,吸引由气相团簇束流源产生的等离子纳米颗粒束流中与施加电场电性相反的颗粒,使其加速撞向基底,促进沉积颗粒的密集堆积。通过电机驱动使样品台旋转,粒子高速、均匀地沉积在基片表面,形成均匀、高致密度的薄膜。 |
申请公布号 |
CN104073767A |
申请公布日期 |
2014.10.01 |
申请号 |
CN201410279632.6 |
申请日期 |
2014.06.20 |
申请人 |
钢铁研究总院 |
发明人 |
夏振军;何峻;欧修龙;安静;赵栋梁;强游 |
分类号 |
C23C14/32(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I |
主分类号 |
C23C14/32(2006.01)I |
代理机构 |
北京中安信知识产权代理事务所(普通合伙) 11248 |
代理人 |
张小娟 |
主权项 |
一种均匀、高致密度纳米颗粒薄膜的制备装置,包括溅射靶枪(3)、基片(15)、样品台(16)、溅射室(1)、过渡室(10)、沉积室(25)、高电压系统(27)、过渡室真空系统(28)和沉积室真空系统(31),其特征在于,由高电压系统(27)向样品台(16)施加高压电场,对由等离子纳米颗粒束流发生装置制备的等离子纳米颗粒束流(11)进行电性筛选,使得与施加电场电性相反颗粒束流(14)在电场加速下沉积在旋转的基片(15)表面,中性颗粒束流(13)及与施加电场电性相同颗粒束流(12)沉积在基片(15)以外;溅射室(1)的腔体为内外腔双层结构,夹层间为温度可调的冷却液(4);沉积室(25)内设有基片(15)、可旋转的样品台(16)及驱动样品台(16)的旋转系统(26);该薄膜的横向尺寸为毫米级。 |
地址 |
100081 北京市海淀区高粱桥斜街13号 |