发明名称 |
一种基于半浮栅存储器的读写控制电路 |
摘要 |
本发明涉及一种基于半浮栅存储器的读写控制电路,它包括灵敏放大电路、预充电电路、数据写入电路、钟控电流源、第一数据锁存电路、第二数据锁存电路、第一数据判决电路和第二数据判决电路,其中:该灵敏放大电路的第一输出端、第二输出端分别与所述第一数据锁存电路、第二数据锁存电路连接,该灵敏放大电路的第一输入端、第二输入端分别与半浮栅存储器的位线以及钟控电流源连接,该数据写入电路与半浮栅存储器的位线连接、并与钟控电流源连接。本发明通过在半浮栅存储器的读写控制电路中加入数据判决电路和数据锁存电路,能够有效的对半浮栅存储器进行数据写入和读出,具有读取速度快且没有静态功耗,适用于各种半浮栅存储器。 |
申请公布号 |
CN104078078A |
申请公布日期 |
2014.10.01 |
申请号 |
CN201410276695.6 |
申请日期 |
2014.06.19 |
申请人 |
苏州东微半导体有限公司 |
发明人 |
王永寿;朱家国;苗跃;王鹏飞 |
分类号 |
G11C11/409(2006.01)I;G11C11/4091(2006.01)I |
主分类号 |
G11C11/409(2006.01)I |
代理机构 |
南京经纬专利商标代理有限公司 32200 |
代理人 |
吴树山 |
主权项 |
一种基于半浮栅存储器的读写控制电路,它包括预充电电路、灵敏放大电路,所述灵敏放大电路的第一输入端通过第七NMOS管与半浮栅存储器的位线连接,其特征在于还包括数据写入电路、钟控电流源、第一数据锁存电路、第二数据锁存电路、第一数据判决电路和第二数据判决电路,其中:所述灵敏放大电路的第一输出端、第二输出端分别与所述第一数据锁存电路、第二数据锁存电路连接,所述灵敏放大电路的第二输入端通过第八NMOS管与钟控电流源的输出端连接,所述预充电电路与半浮栅存储器的位线连接、并与所述钟控电流源的输出端连接,所述数据写入电路与半浮栅存储器的位线连接、并与所述钟控电流源的输出端连接。 |
地址 |
215021 江苏省苏州市工业园区金鸡湖大道1355号国际科技园二期C102-1 |