装置和半导体元件的制作方法

摘要

本发明提供一种装置和半导体元件的制作方法，该装置包括一半导体元件，半导体元件包括一基底。半导体元件也包括一具有第一材料和位于基底上方的第一栅极介电层，第一栅极介电层具有小于第一临界厚度的第一厚度，其中第一临界厚度是部分第一栅极介电层的第一材料会开始结晶化的厚度。半导体元件也包括一具有第二材料和位于第一栅极介电层上方的第二栅极介电层，第二栅极介电层具有小于第二临界厚度的第二厚度，其中第二临界厚度是部分第二栅极介电层的第二材料会开始结晶化的厚度，其中第二材料不同于第一材料。本发明可达成高的结晶温度，而不会增加全体的厚度，且不需要进行掺杂。

主权项

一种装置，包括一半导体元件，该半导体元件包括：一基底；一第一栅极介电层，具有第一材料且位于该基底上方，该第一栅极介电层具有小于第一临界厚度的第一厚度，其中该第一临界厚度是部分该第一栅极介电层的第一材料会开始结晶化的厚度；及一第二栅极介电层，具有第二材料且位于该第一栅极介电层上方，该第二栅极介电层具有小于第二临界厚度的第二厚度，其中该第二临界厚度是部分该第二栅极介电层的第二材料会开始结晶化的厚度；其中该第二材料不同于该第一材料；一第三栅极介电层，位于该第二栅极介电层上方；一第四栅极介电层，位于该第三栅极介电层上方；一中间层，位于该基底和该第一栅极介电层间，其中该中间层包括氧化硅，该第一栅极介电层是介电常数大于氧化硅的介电常数的材料；及一栅电极，位于该第二栅极介电层上方，其中该栅电极位于该第三栅极介电层和该第四栅极介电层上方，其中该第一栅极介电层直接接触该第二栅极介电层，该第二栅极介电层直接接触该第三栅极介电层，该第三栅极介电层直接接触该第四栅极介电层。