半导体器件结构及其制作方法

摘要

一种用于制作半导体器件结构的方法，包括：提供前端器件结构，所述前端器件结构包括半导体衬底；蚀刻所述半导体衬底，以在所述半导体衬底中将要形成源/漏区的部分形成凹槽，从而使得夹在所述凹槽之间的部分形成虚设栅极结构；在所述半导体衬底上形成位于所述虚设栅极结构两侧且紧靠所述虚设栅极结构的横向扩散阻挡壁；以及在所述半导体衬底的表面和所述虚设栅极结构的表面上形成衬底外延层并对所述衬底外延层进行平坦化。该方法能够有效地抑制源/漏区中杂质的横向扩散并使其能够与纵向扩散分开单独设计，从而能够改善半导体器件的SCE效应以及S/D区的过度耗尽，进而提高半导体器件的整体电学性能。

主权项

一种用于制作半导体器件结构的方法，包括：提供前端器件结构，所述前端器件结构包括半导体衬底；蚀刻所述半导体衬底，以在所述半导体衬底中将要形成源/漏区的部分形成凹槽，从而使得夹在所述凹槽之间的部分形成虚设栅极结构；在所述半导体衬底上形成位于所述虚设栅极结构两侧且紧靠所述虚设栅极结构的横向扩散阻挡壁；以及在所述半导体衬底的表面和所述虚设栅极结构的表面上形成衬底外延层并对所述衬底外延层进行平坦化；进行离子注入，以将氧离子或氮离子注入到所述半导体衬底和/或所述衬底外延层中；以及进行退火，以使氧离子或氮离子与所述半导体衬底和/或所述衬底外延层反应形成纵向扩散阻挡壁。