垂直式氮化物发光二极体的制造方法;METHOD FOR MAKING VERTICAL NITRIDE-BASED LIGHT EMITTING DIODE

摘要

本发明系有关于一种垂直式氮化物发光二极体的制造方法,系利用溅镀技术于基板上沉积一氮化铝、氮化铟或氮化镓等材料系列其中之一的薄膜以形成缓冲层,于此缓冲层上直接成长半导体层,而不需先成长未掺杂半导体层后再成长半导体层;据此,不但即可减少磊晶成长的时间,还可以减少制作的复杂性及提升元件稳定性,进而提升元件的可靠度。