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发明名称
发光二极体及其制造方法;LIGHT EMITTING DIODE AND METHOD FOR MAKING SAME
摘要
一种发光二极体,包括基板、形成在基板之上的第一未掺杂的GaN层。第一未掺杂的GaN层的与基板相反的表面具有多个离子植入区域。第一未掺杂的GaN层的具有离子植入区域的表面形成有多个第二未掺杂的GaN层,第二未掺杂的GaN层为岛状且部分覆盖所述离子植入区域。第二未掺杂的GaN层的表面以及离子植入区域的表面形成有一层布拉格反射层。在布拉格反射层的表面依次形成有N型GaN层、活性层以及P型GaN层。本发明还提供了一种发光二极体的制造方法。
申请公布号
TW201438279
申请公布日期
2014.10.01
申请号
TW102111839
申请日期
2013.04.02
申请人
荣创能源科技股份有限公司
发明人
邱镜学;林雅雯;凃博闵;黄世晟
分类号
H01L33/10(2010.01)
主分类号
H01L33/10(2010.01)
代理机构
代理人
主权项
地址
新竹县湖口乡新竹工业区工业五路13号
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