| 摘要 |
本发明提供一种发光二极体，其包含n-型触点层及与该n-型触点层相邻之光生成结构。光生成结构包含一组量子井。触点层及光生成结构可经组态以使n-型触点层之能量与量子井之电子基态能量之间之差大于光生成结构材料中极性光学声子之能量。此外，光生成结构可经组态以使其宽度与注入光生成结构之电子发射极性光学声子之平均自由路径相当。二极体可包含阻挡层，其经组态以使阻挡层之能量与量子井之电子基态能量之间之差大于光生成结构材料中极性光学声子之能量。二极体可包含复合触点，该复合触点包含对光生成结构生成之光至少部分透明之黏合层及经组态以反射光生成结构生成之光之至少一部分之反射性金属层。 |
