自对准双构图方法及NAND闪存的金属互连结构

摘要

一种自对准双构图方法及NAND闪存的金属互连结构，为避免现有的基于侧墙进行双构图的方案中，对核的去除效果不佳会造成残留物，该残留物在下一步工序中会影响图案转移精准度的问题，本发明提出核的材质采用含硅抗反射层，对其去除采用针对性的溶液：含氢氧化烷基铵溶液，从而避免核的去除过程中遗留残留物，提高下一步工序的图案转移精准度，也实现了提高双构图工艺的图案关键尺寸一致性及关键尺寸均匀性。采用上述双构图方法制作NAND闪存的金属互连结构也能提高其电连接性能。

主权项

一种自对准双构图方法，其特征在于，包括：提供待刻蚀层，在所述待刻蚀层上形成具有一组沟槽的含硅抗反射层；在所述含硅抗反射层上形成厚度一致的覆盖层；回蚀所述覆盖层形成侧墙；去除所述含硅抗反射层，保留其周围的侧墙，所述含硅抗反射层采用含氢氧化烷基铵的溶液去除；以所述侧墙为掩膜，刻蚀所述待刻蚀层形成双构图的图案。