一种甘薯脱毒苗的制备方法

摘要

本发明提供了一种甘薯脱毒苗的制备方法，将薯块晒种后与成熟的香蕉放在一起3-5天，然后将薯块栽种在沙土中在培养箱中催芽，设置较高温度。取芽苗顶端1-2cm长，剪去肉眼可见的叶片，进行表面消毒并用无菌水漂洗。剥取带有l-2个叶原基的茎尖，接种到相应培养基上，分别诱导不定芽的分化和体细胞胚胎发生。对再生植株进行病毒检测，无病毒苗经继代培养、炼苗、直接栽植塑料大棚后，大水漫灌。移栽最初2个周中午防止太阳直晒，移栽3周后撒施尿素随即浇水即获得脱毒苗。本发明将脱毒试管苗经驯化后直接栽植塑料大棚可明显提高成活率，减少了操作程序，不需要经过驯化室驯化的过程，节省人力物力财力。

主权项

一种甘薯脱毒苗的制备方法，其特征在于，它包括以下步骤： （1）选取无虫蛀无损伤的甘薯薯块，太阳底下暴晒2~5天；（2）将暴晒后的薯块和成熟香蕉放在一起3‑5天；（3）将薯块用清水洗净，薯块上覆盖沙子，放入培养箱中进行催芽，温度35~37℃；出芽前黑暗培养1周，出芽后，每日13小时光照，1000‑2000lx；（4）当芽苗长至10 cm以上，取顶端1‑2 cm长，剪去肉眼可见的叶片，先用清水冲洗，然后进行表面消毒，最后用无菌水漂洗3‑5遍；（5）在体视解剖镜下剥取带有l‑2个叶原基的茎尖，接种到添加0.1‑0.2mg/L NAA和1.0‑2.0mg/L BAP的培养基上，培养温度为25‑27℃，每日13小时光照，2000‑3000lx，培养3‑4周，诱导不定芽的分化；或将所述茎尖接种到添加0.2‑2.0mg/L 2,4‑D的培养基上黑暗培养，培养温度为25‑27℃，诱导体细胞胚胎发生； （6）在添加0.1‑0.2mg/L NAA和1.0‑2.0mg/L BAP的培养基上培养，当再生小苗长至2cm以上时，从基部切下，转移至不添加激素的培养基中得完整脱毒苗；或在添加0.2‑2.0mg/L 2,4‑D的培养基上培养4‑5周后，外植体先后开始形成胚性愈伤组织和体胚，将形成体胚的外植体转移到不添加激素的培养基中，促使体胚萌发形成脱毒苗； （7）采用茎蔓切段方法快速繁殖获得脱毒试管苗；（8）脱毒试管苗的驯化：将试管苗继代培养1个月，打开瓶口进行驯化；（9）脱毒试管苗的移栽：将试管苗洗净培养基，分单株直接栽植于塑料大棚的土壤中，塑料大棚两头加防虫网；（10）脱毒试管苗栽植于大棚的土壤中后，先泼水，然后大水漫灌； （11）脱毒试管苗移栽最初的2个周中午搭遮荫网，防止太阳直晒，2周后撤掉遮荫网，中午放风；（12）移栽3周后，撒施尿素，随即浇水，促进幼苗生长；（13）塑料大棚中脱毒苗的繁殖：当茎蔓长至30cm以上，剪切茎蔓栽植于塑料大棚中，进行脱毒苗的再繁殖，每次剪蔓后，撒施尿素，随即浇水，即获得甘薯脱毒苗。