| 发明名称 | MIM 电容及包括该MIM 电容的半导体器件 | ||
| 摘要 | 本实用新型提供一种MIM电容及其包括所述MIM电容的半导体器件，其中，所述MIM电容至少包括：介质层，所述介质层为氮化硅层；电极板，至少一电极板为弹性电极板，所述弹性电极板由钽膜、氮化钽膜、钛膜或氮化钛膜中的一种或者几种构成。本实用新型中提供的MIM电容中的弹性电极能改善作为介电层与电极板间的表面态及应力，也不会产生较大的应力，不至于会诱发介电质内部缺陷导致漏电。 | ||
| 申请公布号 | CN203859119U | 申请公布日期 | 2014.10.01 |
| 申请号 | CN201420042258.3 | 申请日期 | 2014.01.22 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 | 发明人 | 李磊;彭坤;赵连国;王海莲;王峰;呼翔 |
| 分类号 | H01L29/92(2006.01)I;H01L29/86(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/92(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人 | 李仪萍 |
| 主权项 | 一种MIM电容，其特征在于，所述MIM电容至少包括： 介质层，所述介质层为氮化硅层； 电极板，至少一电极板为弹性电极板，所述弹性电极板为钽膜、氮化钽膜、钛膜或氮化钛膜中的一种或者由钽膜、氮化钽膜、钛膜或氮化钛膜中的几种膜相叠构成的复合叠层。 | ||
| 地址 | 100176 北京市大兴区大兴经济技术开发区（亦庄）文昌大道18号 | ||