| 摘要 |
本发明的一个方式的目的之一是提供一种具有良好的电特性的电晶体等。本发明的一个方式是一种半导体装置,包括:闸极电极;与闸极电极接触的闸极绝缘膜;以及与闸极绝缘膜接触并从离闸极绝缘膜最远的一侧依次包括第一氧化物半导体层、第二氧化物半导体层以及第三氧化物半导体层的多层膜,第一氧化物半导体层、第二氧化物半导体层以及第三氧化物半导体层包含铟、元素M(铝、镓、钇或锡)及锌,第一氧化物半导体层的元素M对铟的原子数比大于第二氧化物半导体层的元素M对铟的原子数比,且第一氧化物半导体层的厚度为20nm以上且200nm以下,第三氧化物半导体层的元素对铟的原子数比大于第二氧化物半导体层的元素M对铟的原子数比,且第三氧化物半导体层的厚度为0.3nm以上且小于10nm。 |
