金属合金薄膜的原子层沉积;ATOMIC LAYER DEPOSITION OF METAL ALLOY FILMS

摘要

本文提供沉积含有铪或锆之金属合金薄膜的方法。某些方法包括依序地将基板表面曝露于交替的有机金属前驱物流及含有M(BH4)4之还原剂流以在基板表面上产生金属合金薄膜,其中,M选自铪及锆,及有机金属前驱物含有金属N。描述闸极堆叠包括铜阻障层,该铜阻障层包括硼、选自Hf及Zr之第一金属M,及选自钽、钨、铜、钌、铑、钴,及镍之第二金属N;及包括覆盖在铜阻障晶种层上方之铜层。