发明名称 用于离子植入装置之高压电极的绝缘结构
摘要 本发明提供一种用于离子植入装置之高电压电极的绝缘结构,其为适合离子植入装置之高电压电极的绝缘结构。该高电压电极的绝缘结构具备:绝缘体(126),其具备露出表面(128);以及导体部(130),其具备与绝缘体(126)相接之接合区域(138)、及沿接合区域(138)的边缘部(142)的至少一部份而设之耐热部(150)而使得与绝缘体(126)的露出表面(128)相邻。耐热部(150)由熔点高于导体部(130)的导电材料形成。耐热部(150)可以以与绝缘体(126)的露出表面(128)留有间隙之方式配置。
申请公布号 TW201438054 申请公布日期 2014.10.01
申请号 TW102144640 申请日期 2013.12.05
申请人 斯伊恩股份有限公司 发明人 佐藤正辉;松下浩
分类号 H01J37/317(2006.01) 主分类号 H01J37/317(2006.01)
代理机构 代理人 <name>林志刚</name>
主权项
地址 日本
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