具高密度双晶的奈米铜导线制造方法

摘要

一种具高密度双晶的奈米铜导线制造方法，先提供一模板，该模板具有一表面、一底面及复数个贯穿该表面与该底面的通孔，该通孔具有一小于55nm的孔径，接着，令该模板置于一含铜电镀液，并且在一低于室温之低温以一脉冲电流进行一电沉积制程，使该通孔内形成一具有双晶结构的奈米铜导线，由于使用该脉冲电流，可使铜离子产生堆叠错误的机会增加，搭配于该低温下进行，可有助于进一步增加双晶晶种之成核位置，因此，该奈米铜导线将具有较高的双晶密度，得有效提升该奈米铜导线抑制电致迁移之能力。

主权项

一种具高密度双晶的奈米铜导线制造方法，包括以下步骤：提供一模板，该模板具有一表面、一底面及复数个贯穿该表面与该底面的通孔，该通孔具有一小于55nm的孔径；以及令该模板置于一含铜电镀液，并在一低于室温之低温以一脉冲电流进行一电沉积制程，使该通孔内形成一具有双晶结构的奈米铜导线。