发明名称 分子电子元件之制造方法及结构
摘要 本发明系关于制造分子电子元件,特别是关于有机发光二极体(OLED)等有机电子元件的改良方法,该方法系使用诸如喷墨印刷等微滴沉淀技术。本发明亦关于藉此类方法制造的及/或使用于此类方法中的分子元件基板。;本发明揭示一种制造分子电子元件之方法,该方法包括:制造一基板,该基板有复数个边坡,该等边坡界定供分子材料沉淀之井;及使用微滴沉淀技术将溶解于溶剂内之分子电子材料沉淀入该等井内来制造该元件;其中该边坡有一界定该井之一边缘的面,该面与井基座有一角度,该角度大于该溶剂与该边坡面之接触角度;且其中该边坡高于该井之该基座的高度小于2微米,且更好小于1.5微米。
申请公布号 TWI455641 申请公布日期 2014.10.01
申请号 TW094104032 申请日期 2005.02.05
申请人 剑桥显示科技有限公司 英国 发明人 J 卡特;海登 葛列高里;马汀 卡切洛
分类号 H05B33/10;H01L51/50 主分类号 H05B33/10
代理机构 代理人 陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼
主权项 一种制造一有机发光二极体之方法,该方法包括:制造一具有一阳极层和复数个边坡之基板,该等边坡界定在该阳极层上供分子材料沉淀之井;及使用喷墨沉淀将包含溶解于一溶剂内之一分子电子材料的一合成物沉淀入该等井内;其中该等边坡中之一者有一边坡面,该边坡面界定该等井中之一者之一边缘,该边坡面与该等井中之该者之一基座有一角度,该角度大于该合成物与该边坡面之一接触角度;其中该等井中之该者之该基座上方之该等边坡中之该者的一高度小于2微米,且其中包含该分子电子材料之该合成物之沉淀步骤包括沉淀一有机电洞运送层及沉淀一有机场致发光层于其上,藉由喷墨沉淀来沉淀该有机电洞运送层和该有机场致发光层二者;及沉淀一阴极层于该有机场致发光层上,其中在沉淀该有机电洞运送层和该有机场致发光层时,微滴不完全填充该基板之一横向平面中之该等井中之该者且接着藉由毛细作用分散而填充该等井中之该者。
地址 英国