| 发明名称 | 非晶硅光电二极管基板的制造方法、基板及半导体装置 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种非晶硅光电二极管基板的制造方法、基板及半导体装置，其中，该方法包括：在基板上形成栅电极层、光电二极管结构的光传感器及位于所述光传感器下方的接触层的图形，所述接触层未被所述光传感器完全覆盖，所述接触层与栅电极层同层设置且材料相同；进行第二次构图工艺，在第一次构图工艺得到的基板上依次形成第一绝缘层、半导体层和源漏电极层的图形；在第二次构图工艺得到的基板上形成第二绝缘层，进行第三次构图工艺，形成使所述接触层、所述光传感器、所述源漏电极层部分区域暴露出来的第一过孔。根据本发明的技术方案，能够简化非晶硅光电二极管基板的制造流程，提高制造效率，降低成本。 | ||
| 申请公布号 | CN104078421A | 申请公布日期 | 2014.10.01 |
| 申请号 | CN201310110174.9 | 申请日期 | 2013.03.29 |
| 申请人 | 北京京东方光电科技有限公司 | 发明人 | 谢振宇;陈旭;徐少颖 |
| 分类号 | H01L21/77(2006.01)I;H01L27/144(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/77(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人 | 张颖玲;迟姗 |
| 主权项 | 一种非晶硅光电二极管基板的制造方法，其特征在于，该方法包括：进行第一次构图工艺，在基板上形成栅电极层、光电二极管结构的光传感器及位于所述光传感器下方的接触层的图形，所述接触层未被所述光传感器完全覆盖，所述接触层与栅电极层同层设置且材料相同；进行第二次构图工艺，在第一次构图工艺得到的基板上依次形成第一绝缘层、半导体层和源漏电极层的图形；在第二次构图工艺得到的基板上形成第二绝缘层，进行第三次构图工艺，形成使所述接触层、所述光传感器、所述源漏电极层部分区域暴露出来的第一过孔。 | ||
| 地址 | 100176 北京市大兴区经济技术开发区西环中路8号 | ||