一种基于掺杂铁酸铋的阻变存储器及其制备方法

摘要

本发明属于信息存储技术领域，具体公开了一种基于掺杂铁酸铋的阻变存储器及其制备方法。所述存储器由衬底、底电极、阻变存储层和顶电极组成，器件单元为三明治结构，阻变存储层位于底电极和顶电极之间，阻变存储层采用掺杂铁酸铋。具体制备方法为，首先在衬底上用磁控溅射的方法沉积金属层作为底电极，然后在金属层上生长掺杂的铁酸铋薄膜，选用自制的掺杂铁酸铋的靶材，最后用磁控溅射的方法沉积形成顶电极，这样得到基于掺杂铁酸铋的阻变存储器。该阻变存储器性能稳定，制作成本低，结构简单，制造过程简单，对设备要求不高，易于大规模制造。

主权项

一种基于掺杂铁酸铋的阻变存储器，其特征包括有四层，依次是：衬底（1）、底电极（2）、阻变存储层（3）和顶电极（4）；衬底（1）为半导体材料或者玻璃等材料；底电极（2）和顶电极（4）为金属材料；阻变存储层（3）为掺杂铁酸铋薄膜。