| 发明名称 | 半导体器件以及用于制造半导体器件的方法 | ||
| 摘要 | 本发明的实施例涉及半导体器件以及用于制造半导体器件的方法。一种方法包括执行时间多路复用蚀刻处理的步骤，其中时间多路复用蚀刻处理中最后的蚀刻步骤具有第一持续时间。在执行该时间多路复用蚀刻处理之后，执行具有第二持续时间的蚀刻步骤，其中第二持续时间大于第一持续时间。 | ||
| 申请公布号 | CN104071743A | 申请公布日期 | 2014.10.01 |
| 申请号 | CN201410117424.6 | 申请日期 | 2014.03.26 |
| 申请人 | 英飞凌科技股份有限公司 | 发明人 | M·恩格尔哈特;M·扎加 |
| 分类号 | B81C1/00(2006.01)I;B81B7/02(2006.01)I;B81B3/00(2006.01)I | 主分类号 | B81C1/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人 | 王茂华;张臻贤 |
| 主权项 | 一种方法，包括：执行时间多路复用蚀刻处理，其中所述时间多路复用蚀刻处理中的最后的蚀刻步骤具有第一持续时间；以及在执行所述时间多路复用蚀刻处理之后，执行具有第二持续时间的蚀刻步骤，其中所述第二持续时间大于所述第一持续时间。 | ||
| 地址 | 德国诺伊比贝尔格 | ||