| 发明名称 | 发光元件的制造方法及通过该方法形成的发光元件 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种发光元件的制造方法及通过该方法形成的发光元件。所述发光元件的制造方法包括：准备半导体叠层结构体的步骤，所述半导体叠层结构体包括P型半导体层、n型半导体层及形成于所述p型半导体层与所述n型半导体层之间的活性层；在所述n型半导体层的表面或所述p型半导体层的表面形成金属薄膜的步骤；对所述金属薄膜进行退火处理，在所述金属薄膜上形成晶界的步骤；向形成晶界的所述金属薄膜的上部涂敷含有石墨粉的液体的步骤；对所述涂敷含有石墨粉的液体的半导体叠层结构体进行热处理的步骤；以及去除形成晶界的所述金属薄膜的步骤。 | ||
| 申请公布号 | CN104078536A | 申请公布日期 | 2014.10.01 |
| 申请号 | CN201410108401.9 | 申请日期 | 2014.03.21 |
| 申请人 | 英迪股份有限公司 | 发明人 | 金泰根;李在训 |
| 分类号 | H01L33/00(2010.01)I;H01L33/22(2010.01)I;H01L33/40(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/00(2010.01)I |
| 代理机构 | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人 | 臧建明 |
| 主权项 | 一种发光元件的制造方法，其特征在于，包括：准备由P型半导体层、n型半导体层及形成于所述p型半导体层与所述n型半导体层之间的活性层构成的半导体叠层结构体的步骤；在所述n型半导体层的表面或所述p型半导体层的表面形成金属薄膜的步骤；对所述金属薄膜进行退火处理，在所述金属薄膜上形成晶界的步骤；向形成晶界的所述金属薄膜的上表面涂敷含有石墨粉的液体的步骤；对所述涂敷含有石墨粉的液体的半导体叠层结构体进行热处理的步骤；以及去除形成晶界的所述金属薄膜的步骤。 | ||
| 地址 | 韩国首尔市 | ||