| 摘要 |
本发明之一些实施例包括形成垂直堆叠记忆体单元之方法。开口经形成以部分地延伸穿过交替电绝缘级及导电级之堆叠。沿该开口之侧壁形成衬里,且然后蚀刻该堆叠以使该开口延伸。该衬里在该蚀刻期间至少部分地消耗且形成钝化材料。在该蚀刻期间出现三个区,其中该等区中之一者为由该衬里保护之该开口之上部区,该等区中之另一者为由钝化材料保护但未由该衬里保护之该开口之中间区,且该等区中之另一者为未由钝化材料及该衬里保护之该开口之下部区。空腔经形成以沿该开口之侧壁延伸至该等导电级中。在该等空腔内形成电荷阻挡介电结构及电荷储存结构。 |
