矽膜之成膜方法及成膜装置;METHOD OF FORMING SILICON FILM AND FILM FORMING APPARATUS

摘要

本发明之目的在于提供一种矽膜之成膜方法，系在基底层上形成含有矽膜的膜，包含：加热该基底层，并将胺基矽烷系气体供给至经加热的基底层表面上，以在基底层表面上形成晶种层的步骤；加热基底层，将不含胺基的矽烷系气体供给至经加热的基底层表面的晶种层上，以在晶种层上形成矽膜的步骤；该晶种层的形成步骤所使用的胺基矽烷系气体的分子中，含有两个以上的矽。