| 发明名称 | 具有低K间隔物的半导体器件及其形成方法 | ||
| 摘要 | 一种器件包括绝缘体上半导体(SOI)衬底(110)。SOI衬底(110)上的栅极叠层包括栅极电介质层(185)和栅极导体层(190)。低k间隔物(175)邻近于栅极电介质层(185)。凸起源极/漏极(RSD)区域(160)邻近于低k间隔物(175)。低k间隔物(175)嵌入RSD区域(160)上的层间电介质(ILD)层(165)中。 | ||
| 申请公布号 | CN104081506A | 申请公布日期 | 2014.10.01 |
| 申请号 | CN201380005894.7 | 申请日期 | 2013.01.14 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | 程慷果;B·B·桃瑞丝;A·克哈基弗尔鲁茨;小道格拉斯·C·拉图利佩 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 王莉莉 |
| 主权项 | 一种形成器件的方法，包括：提供绝缘体上半导体(SOI)衬底(110)；在SOI衬底(110)上形成伪栅极叠层(111)；邻近于所述伪栅极叠层(111)形成伪间隔物(155)；邻近于所述伪间隔物(155)在所述SOI衬底(110)上形成凸起源极/漏极(RSD)区域(160)；在所述伪间隔物(155)和所述RSD区域(160)上形成层间电介质(ILD)层(165)；移除所述伪栅极叠层(111)和所述伪间隔物(155)；邻近于所述RSD区域(160)形成低k间隔物(175)，其中所述低k间隔物(175)嵌入所述ILD层(165)中；以及在所述SOI衬底(110)上形成替换栅极叠层，所述替换栅极叠层包括所述SOI衬底(110)上的栅极电介质层(185)和所述栅极电介质层(185)上的栅极导体层(190)。 | ||
| 地址 | 美国纽约 | ||