| 发明名称 | 具有低饱和磁通密度并且用于磁性记录介质的软磁性膜层用合金以及溅射靶材料 | ||
| 摘要 | 提供一种在磁性记录介质中使用的并且具有低饱和磁通密度的软磁性膜层用合金和溅射靶材料。所述合金包含选自由Y、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Mn、Ni、Cu、Al、B、C、Si、P、Zn、Ga、Ge和Sn组成的组中的一种或多种，以及余量的Co和Fe；并且以原子％计，满足下列式(1)至(3)：(1)0.50≤Fe％/(Fe％+Co％)≤0.90；(2)5≤TAM≤25；和(3)15≤TAM+TNM≤25，条件是TAM和TNM分别为：TAM＝Y％+Ti％+Zr％+Hf％+V％+Nb％+Ta％+B％/2；并且TNM＝Cr％+Mo％+W％+Mn％+Ni％/3+Cu％/3+Al％+C％+Si％+P％+Zn％+Ga％+Ge％+Sn％。 | ||
| 申请公布号 | CN104081455A | 申请公布日期 | 2014.10.01 |
| 申请号 | CN201380007516.2 | 申请日期 | 2013.02.01 |
| 申请人 | 山阳特殊制钢株式会社 | 发明人 | 泽田俊之;松原庆明 |
| 分类号 | G11B5/667(2006.01)I;C22C45/02(2006.01)I;C23C14/14(2006.01)I;C23C14/34(2006.01)I;G11B5/738(2006.01)I;G11B5/851(2006.01)I | 主分类号 | G11B5/667(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 贺卫国 |
| 主权项 | 一种用于磁性记录介质中软磁性薄膜层的合金，其中所述合金包含选自由Y、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Mn、Ni、Cu、Al、B、C、Si、P、Zn、Ga、Ge和Sn组成的组中的一种或多种，以及余量的Co和Fe；并且以原子％计，满足下列式(1)至(3)：(1)0.50≤Fe％/(Fe％+Co％)≤0.90；(2)5≤TAM≤25；和(3)15≤TAM+TNM≤25，条件是TAM和TNM分别为：TAM＝Y％+Ti％+Zr％+Hf％+V％+Nb％+Ta％+B％/2；并且TNM＝Cr％+Mo％+W％+Mn％+Ni％/3+Cu％/3+Al％+C％+Si％+P％+Zn％+Ga％+Ge％+Sn％。 | ||
| 地址 | 日本兵库县 | ||