| 发明名称 | 晶圆清洗方法及晶圆清洗装置 | ||
| 摘要 | 本发明提出一种晶圆清洗方法以及晶圆清洗装置，提供带有热量的去离子水，所述去离子水与所述刻铜液进行混合产生的热量与所述去离子水本身的热量均能够提高所述刻铜液对所述晶圆边缘表面的铜层进行刻蚀的效率，从而能够快速的去除所述晶圆边缘表面的铜层，避免所述刻铜液长时间的涂覆，可以有效的防治所述刻铜液溅射至所述晶圆的中心有铜区形成缺陷。 | ||
| 申请公布号 | CN104078352A | 申请公布日期 | 2014.10.01 |
| 申请号 | CN201310103214.7 | 申请日期 | 2013.03.27 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 李广宁;沈哲敏 |
| 分类号 | H01L21/3213(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/3213(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 屈蘅;李时云 |
| 主权项 | 一种晶圆清洗方法，包括：提供晶圆；向所述晶圆的边缘表面喷涂去离子水和刻铜液；其中，所述去离子水的温度范围大于15度。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||