发明名称 |
显示装置 |
摘要 |
需要包括氧化物半导体以及具备适当的结构并其占有面积小的保护电路等的显示装置。使用非线性元件形成保护电路,该非线性元件包括:覆盖栅电极的栅极绝缘层;栅极绝缘层上的重叠于栅电极的第一氧化物半导体层;以及其端部在第一氧化物半导体层上并重叠于栅电极,并且通过层叠导电层和第二氧化物半导体层而形成的第一布线层及第二布线层。将非线性元件的栅电极连接到扫描线或信号线,并且将非线性元件的第一布线层或第二布线层直接连接到栅电极层,以施加栅电极的电位。 |
申请公布号 |
CN101713897B |
申请公布日期 |
2014.10.01 |
申请号 |
CN200910205211.8 |
申请日期 |
2009.09.28 |
申请人 |
株式会社半导体能源研究所 |
发明人 |
山崎舜平;秋元健吾;小森茂树;鱼地秀贵;二村智哉;笠原崇广 |
分类号 |
G02F1/167(2006.01)I;H01L27/02(2006.01)I;H01L23/528(2006.01)I |
主分类号 |
G02F1/167(2006.01)I |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 72001 |
代理人 |
汤春龙;徐予红 |
主权项 |
一种显示装置,包括:在衬底上彼此交叉的扫描线和信号线;像素电极排列为矩阵状的像素部;以及设置在所述衬底上的所述像素部的外面区域中的非线性元件,其中,所述像素部包括具有第一氧化物半导体层的薄膜晶体管,其中,所述非线性元件包括:栅电极;在所述栅电极上的栅绝缘膜;在所述栅绝缘膜上的所述第一氧化物半导体层;以及各包括在所述非线性元件的所述第一氧化物半导体层上的第二氧化物半导体层和在所述第二氧化物半导体层上的导电层的第一布线层和第二布线层,其中,所述第一布线层和所述第二布线层的端部与所述栅电极重叠,其中,所述栅电极连接到所述扫描线或所述信号线,其中,所述非线性元件的所述第一布线层和所述第二布线层中的一方直接连接到以与所述栅电极相同的层形成的第三布线层,所述第三布线层连接到所述扫描线,以及其中,所述第一氧化物半导体层的氧浓度高于所述第二氧化物半导体层的氧浓度。 |
地址 |
日本神奈川县厚木市 |